2. Основные принципы построения и работы флеш-памяти

Флэш-память является разновидностью чипа электрически стираемого программируемого ПЗУ. В таком чипе имеется сетка из строк и столбцов, а на каждом пересечении строки и столбца располагается ячейка из двух транзисторов. Эти два транзистора отделены друг от друга тонким оксидным слоем. Один транзистор называют плавающим затвором, а другой - управляющим затвором. Плавающий затвор может связаться со строкой, или числовой шиной, только через управляющий затвор. Если эта связь имеется, ячейка имеет значение. Чтобы поменять значение на 0, нужно чтобы произошел процесс, называемый туннелированием Фаулера - Нордхейма.