Схемотехника динамических ЗУ

Элемент памяти

С - полезная емкость, в ее заряде хранится информация. Для увеличения емкости С на стоке выполняется металлическая аппликация. Затвор или адресная шина уходит за плоскость чертежа. Разрядная шина в плоскости чертежа. Диэлектрик наносится на поверхность за 2 цикла.

Информация сохраняется в емкости стока относительно подложки. На исток подается 1 или 0, на АШ подается положительный импульс (всегда положительный), емкость заряжается, или разряжается. При хранении информации, информация на РШ может изменяться, однако обращения к АШ не происходит. Обращение к каждой ячейке происходит в зависимости от организации памяти (матричная, строчная, комбинированная). Записывать можно только целиком строку.

При считывании РШ подключается к усилителю считывания, усилитель считывания открывается и опрос подается на АШ. Выходная информация появляется на всех РШ данной строки.

Особенности: Очень маленькая амплитуда считываемого сигнала. Т.к. Образуется емкостной делитель напряжения. Перепад импульса напряжения

Uрш = Uсток - Ci/(Ci+Cрш)

Амплитуда сигнала составляет микровольты.

Регенерация: Заряд на стоке теряется за счет обратного тока закрытого p-n перехода сток-подложка. Регенерация выполняется путем считывания информации (т.к. Здесь затвор открыт заряд стекает, а в постоянных ЗУ затвор плавающий, находится в толще диэлектрика).