ОССиО_методичка_1 / ВССиТ / Остаток лекции_ВССиТ
Bedo dram (BurstEdo)
Данная технология является развитием конвейерной архитектуры. В структуру памяти, кроме регистра-защелки, был внедрен счетчик адреса колонок для пакетного цикла, что позволяет выставлять адрес колонки только в его начале, а в последующих передачах лишь запрашивать очередные данные. Если чипсет способен генерировать обращения к памяти в режиме смежных циклов, то можно достичь временной диаграммы 5-1-1-1.
Содержание
- Интерфейс scsi
- 8.3. Интерфейс rs-232c
- В простейшем случае для обмена информацией могут использоваться всего 3 из 10 линии: TxD (передача данных), RxD (прием данных) и sg (Signal Ground) - "нулевой" провод (заземление).
- Интерфейс ieee 1284 (Centronics)
- Инфракрасный интерфейс
- Интерфейс ieee 1394 - FireWire
- Классификация запоминающих устройств
- Организация распределения памяти в эвм
- Технологии оперативной памяти
- Edo dram (Enhanced Data Output)
- Bedo dram (BurstEdo)
- Sdram (Synchronous dram)
- Sdram II (ddr - Double Data Rate)
- Rdram (RambusDram)
- Постоянные запоминающие устройства (rom)
- Внешние запоминающие устройства
- Накопители с оптическим носителем
- Цветные мониторы
- Матричные принтеры