ОССиО_методичка_1 / ВССиТ / Остаток лекции_ВССиТ
Edo dram (Enhanced Data Output)
По сравнению с уже устаревшей технологией FPM DRAM (режим быстрых страниц), в этих микросхемах памяти добавлен регистр-защелка, работающий по принципу триггера. В нем сохраняются выходные данные. Время доступа внутри страницы снижается до 25 нс, повышая производительность на 40%, что соответствует режиму чтения (временной диаграмме) 5-2-2-2. Установка регистра-защелки практически не увеличивает стоимость микросхемы, однако ее применение дает эффект, соизмеримый с установкой внешнего асинхронного кэша. Такой тип памяти использовался в ПК на базе Pentium.
Содержание
- Интерфейс scsi
- 8.3. Интерфейс rs-232c
- В простейшем случае для обмена информацией могут использоваться всего 3 из 10 линии: TxD (передача данных), RxD (прием данных) и sg (Signal Ground) - "нулевой" провод (заземление).
- Интерфейс ieee 1284 (Centronics)
- Инфракрасный интерфейс
- Интерфейс ieee 1394 - FireWire
- Классификация запоминающих устройств
- Организация распределения памяти в эвм
- Технологии оперативной памяти
- Edo dram (Enhanced Data Output)
- Bedo dram (BurstEdo)
- Sdram (Synchronous dram)
- Sdram II (ddr - Double Data Rate)
- Rdram (RambusDram)
- Постоянные запоминающие устройства (rom)
- Внешние запоминающие устройства
- Накопители с оптическим носителем
- Цветные мониторы
- Матричные принтеры