logo
ОССиО_методичка_1 / ВССиТ / Остаток лекции_ВССиТ

Edo dram (Enhanced Data Output)

По сравнению с уже устаревшей технологией FPM DRAM (режим быстрых страниц), в этих микросхемах памяти добавлен регистр-защелка, работающий по принципу триггера. В нем сохраняются выходные данные. Время доступа внутри страницы снижается до 25 нс, повышая производительность на 40%, что соответствует режиму чтения (временной диаграмме) 5-2-2-2. Установка регистра-защелки практически не увеличивает стоимость микросхемы, однако ее применение дает эффект, соизмеримый с установкой внешнего асинхронного кэша. Такой тип памяти использовался в ПК на базе Pentium.