3А Учебно-исследовательская работа.

3.1. Составить схему для исследования снятия статических характеристик типа n – p – n в схеме с общим эмиттером.

3.2. Составить схему и снять статические характеристики транзистора типа p – n – p в схеме с общим коллектором.

4. Обработка результатов измерений.

4.1. Построить входную и выходную статические вольт – амперные характеристики транзистора в соответствии с данными табл. 1 и 2.

4 .2. Определить входной динамическое сопротивление транзистора Rвх = Uб/ Iб в рабочих точках Iб1 = 50мкА и Iб2 = 200мкА.

4 .3. Определить выходное сопротивление транзистора Rвых = Uк/ Iк в рабочих точках Iб1 = 50мкА, Iб2 = 200мкА и Uк = 6В.

Примечание. При определении входного и выходного сопротивлений транзистора использовать метод линеаризации характеристик в рабочей точке, т.е. построения треугольника. Напряжений и токов, гипотенуза которого является касательной к характеристике в рабочей точке.

4.4. Определить коэффициент усилий по току

4.5. Определить крутизну характеристик транзистора