logo search
Amelina_M_A__Konspekt_lektsy_po_kursu_Kompyut

Диод (Diode) и стабилитрон (Zener)

Ф ормат схем МС:

Атрибут PART: <имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vd>]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных диодов (параметры модели диода умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC задает начальное напряжение на диоде Vd при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает диод из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току.

Модель диода задается директивой

.MODEL <имя модели> 0[(параметры модели)]

Приведем пример модели диода Д104А:

.model D104A D (IS=5.81Е-12 RS=8.1 N=1.15 TT=8.28NS CJO=41.2PF VJ=0.71 M=0.33 FC=0.5 EG=1.11 XTI=3)

Математическая модель диода задается параметрами, перечисленными в табл. 3.6.

Таблица 3.6. Параметры модели диода

Обозначение

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

Level

Тип модели: 1 — SPICE2G, 2 — PSpice

1

—

IS

Ток насыщения при температуре 27°С

10–14

А

RS

Объемное сопротивление

0

Ом

N

Коэффициент эмиссии (неидеальности)

1

—

ISR

Параметр тока рекомбинации

0

А

NR

Коэффициент эмиссии (неидеальности)для тока ISR

2

IKF

Предельный ток при высоком уровне инжекции

А

TT

Время переноса заряда

0

с

CJO

Барьерная емкость при нулевом смещении

0

Ф

VJ

Контактная разность потенциалов

1

В

M

Коэффициент плавности p-n перехода (1/2 —для резкого, 1/3 — плавного)

0,5

—

EG

Ширина запрещенной зоны

1,11

эВ

FC

Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода

0,5

—

BV

Обратное напряжение пробоя (положительная величина)

В

IBV

Начальный ток пробоя, соответствующий напряжению BV (положительная величина)

10-10

А

NBV

Коэффициент неидеальности на участке пробоя

1

—

IBVL

Начальный ток пробоя низкого уровня

0

А

NBVL

Коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого уровня

1

—

Таблица 3.6. Параметры модели диода (окончание)

XTI

Температурный коэффициент тока насыщения IS

3

—

TIKF

Линейный температурный коэффициент IKF

0

C-1

TBV1

Линейный температурный коэффициент BV

0

C-1

TBV2

Квадратичный температурный коэффициент BV

0

C-1

TRS1

Линейный температурный коэффициент RS

0

C-1

TRS2

Квадратичный температурный коэффициент RS

0

C-2

KF

Коэффициент фликкер-шума

0

—

AF

Показатель степени в формуле фликкер-шума

1

—

RL

Сопротивление утечки перехода

Ом

T_MEASURED

Температура измерений

—

C

T_ABS

Абсолютная температура

—

C

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

—

C

T_REL_LOCL

Разность между температурой диода и модели-прототипа

—

C

С уравнениями, по которым производится расчет при моделировании диодов и прочих полупроводниковых приборов при необходимости можно ознакомиться в [4, 6].

Рис. 3.7. Окно задания параметров диода Рис. 3.8. Модель диода

Стабилитроны имеют ту же модель, что и диоды. При выборе стабилитрона необходимо обращать внимание на параметр модели BV — напряжение обратного пробоя, фактически оно же и является напряжением стабилизации при обратном включении диода. См. примеры моделирования схемные файлы DIODE & ZENER из каталога COMPONENTS\PASSIVE COMP.

Диоды выбираются с помощью следующих путей в меню COMPONENTS/Analog Primitives/Passive Components/Diode, COMPONENTS/Analog Library/DIODE (далее в подменю нужный тип диода). Стабилитроны — COMPONENTS/Analog Primitives/Passive Components/ZENER, COMPONENTS/Analog Library/Diode/ZENER.