Amelina_M_A__Konspekt_lektsy_po_kursu_Kompyut

Переменные

В программе МС7 ряд констант и переменных имеют стандартные значения:

Т — время в секундах;

F — частота в герцах;

Е — ЕХР(1)=2,718281828;

S — комплексная переменная, используемая при анализе аналоговых устройств (в курсе ОТЦ и Мат. Анализа она обозначалась p);

GMIN — минимальная проводимость ветви, задаваемая в диалоговом окне Options>Global settings;

PI — число =3.14159265389795;

TEMP — температура компонентов в градусах Цельсия;

VT — температурный потенциал р-п—перехода, равный 1,380622610^–23х (273,15+ТЕМР)/(1,602191810¹⁹); при ТЕМР=27°С VT=25,86419mB;

J — корень квадратный из –1;

Tmin — начальный момент времени расчета переходных процессов;

Тmах — конечный момент времени расчета переходных процессов;

Fmin — начальная частота расчета частотных характеристик;

Fmax — конечная частота расчета частотных характеристик;

PGT — общая мощность, генерируемая в схеме;

PST — общая мощность, запасаемая в схеме;

РОТ — общая рассеиваемая в схеме мощность;

Z — комплексная переменная, используемая при анализе дискретных устройств (цифровых фильтров).

Номера узлов, присваиваемые программой МС7 автоматически, представляют собой целые числа, например 0, 2, 25. Кроме того, пользователь по команде Options>Mode/Text может присвоить любому узлу имя в виде текстовой алфавитно-цифровой переменной, начинающейся с буквы или символа "_" и содержащей не более 50 символов, например А1, Out, Reset.

В математических выражениях могут использоваться следующие переменные (см. табл. 2.2):

Таблица 2.2. Переменные, используемые в программе Microcap-7

D(A)	Логическое состояние цифрового узла А
V(A)	Напряжения на узле А (напряжения измеряются относительно узла "земли", которой программа присваивает номер 0)
V(A,B)	Разность потенциалов между узлами А и В
V(D1)	Напряжение между выводами двухвыводного компонента D1
I(D1)	Ток через двухвыводной компонент D1
I(A,B)	Ток через ветвь между узлами А и В (между этими узлами должна быть включена единственная ветвь)
IR(Q1)	Ток, втекающий в вывод R компонента Q1 с количеством выводов больше 2
VRS(Q1)	Напряжение между выводами R и S компонента Q1 с количеством выводов больше 2
CRS(Q1)	Емкость между выводами R и S компонента Q1 с количеством выводов больше 2
QRS(Q1)	Заряд емкости между выводами R и S компонента Q1 с количеством выводов больше 2
R(R1)	Сопротивление резистора R1
C(X1)	Емкость конденсатора или диода Х1
Q(X1)	Заряд конденсатора или диода Х1
L(X1)	Индуктивность катушки индуктивности или сердечника Х1
X(L1)	Магнитный поток в катушке индуктивности или сердечнике L1
B(L1)	Магнитная индукция сердечника L1
H(L1)	Напряженность магнитного поля в сердечнике L1
RND	Случайное число с равномерным законом распределения на отрезке [0, 1]_
ONOISE	Корень квадратный из спектральной плотности напряжения шума, отнесенного к выходу
INOISE	Корень квадратный из спектральной плотности напряжения шума, отнесенного ко входу, равный ОNOISЕ/коэффициент передачи по мощности
PG(V1)	Мощность, генерируемая источником V1
PS(X1)	Реактивная мощность, накапливаемая в устройстве Х1
PD(D1)	Мощность, рассеиваемая в устройстве D1

В этом перечне символы А и В обозначают номера узлов схемы, D1 — имя компонента с двумя выводами или управляемого источника, Q1 — имя любого активного устройства или линии передачи. Символы R и S заменяются аббревиатурами выводов устройств согласно таблице 2.3:

Таблица 2.3. Аббревиатуры выводов электронных компонентов

Устройство	Аббревиатуры выводов	Названия выводов
МОП-транзистор (MOSFET)	D, G, S, В	Сток, затвор, исток, подложка
Полевой транзистор (JFET)	D, G, S	Сток, затвор, исток
Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET)	D, G, S	Сток, затвор, исток
Биполярный транзистор (BJT)	В, Е, С, S	База, эмиттер, коллектор, подложка
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	С, G, E	Коллектор, затвор, эмиттер
Линия передачи (Tran. Line)	АР, AM, ВР, ВМ	Вход+, вход–, выход+, выход–

Например, следующие выражения означают: I(R1) — ток через резистор R1; R(Rload) — сопротивление резистора Rload; IC(Q1) — ток коллектора биполярного транзистора Q1; VBE(Q1) — напряжение между базой и эмиттером биполярного транзистора Q1, VGS(M1) — напряжение затвор-исток МДП-транзистора M1.

Yandex.RTB R-A-252273-3

Содержание

Yandex.RTB R-A-252273-4