Биполярный транзистор (Bipolar transistor — bjt)

Имя параметра

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

IS

Ток насыщения при температуре 27°С

1E-16

А

BF

Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки)

100

BR

Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ

1

NF

Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима

1

NR

Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима

1

ISE*

Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер

0

А

ISC*

Ток насыщения утечки перехода база-коллектор

0

А

ISS

Ток насыщения p-n перехода подложки

0

А

NS

Коэффициент эмиссии тока p-n-перехода подложки

IKF*

Ток начала спада зависимости BF oт тока коллектора в нормальном режиме



А

IKR*

Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме



А

NE*

Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода

1,5

NC*

Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода

2

NK

Коэффициент перегиба при больших токах

0.5

VAF

Напряжение Эрли в нормальном режиме



В

VAR*

Напряжение Эрли в инверсном режиме



В

RC

Объемное сопротивление коллектора

0

Ом

RE

Объемное сопротивление эмиттера

0

Ом

RB

Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер

0

Ом

RBM*

Минимальное сопротивление базы при больших токах

RB

Ом

IRB*

Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM



А

TF

Время переноса заряда через базу в нормальном режиме

0

с

TR

Время переноса заряда через базу в инверсном режиме

0

с

XTF

Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор

0

VTF

Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор



В

ITF

Ток, характеризующий зависимость ТF от тока коллектора при больших токах

0

А

PTF

Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора

0

град.

CJE

Емкость эмитгерного перехода при нулевом смещении

0

пФ

VJE (РЕ)

Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер

0,75

В

MJE (ME)

Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода

0,33

CJC

Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении

0

Ф

VJC (PC)

Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор

0,75

В

MJC(MC)

Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода

0,33

CJS (CCS)

Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении

0

Ф

VJS (PS)

Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка

0,75

В

MJS (MS)

Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка

0

XCJC

Коэффициент расщепления барьерной емкости база-коллектор по отношению к внутренней базе

1

~

FC

Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов

0,5

EG

Ширина запрещенной зоны

1,11

эВ

XTB

Температурный коэффициент BF и ВR

0

—

XTI(PT)

Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS

3

—

TRE1

Линейный температурный коэффициент RE

0

C^-1

TRE2

Квадратичный температурный коэффициент RЕ

0

C^-2

TRB1

Линейный температурный коэффициент RВ

0

C^-1

TRB2

Квадратичный температурный коэффициент RB

0

C^-2

TRM1

Линейный температурный коэффициент RВМ

0

C^-1

TRM2

Квадратичный температурный коэффициент RВМ

0

C^-2

TRC1

Линейный температурный коэффициент RС

0

C^-1

TRC2

Квадратичный температурный коэффициент RС

0

C^-2

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума

0

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход

1

T_MEASURED

Температура измерений

—

°С

T_ABS

Абсолютная температура

—

°С

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

—

°C

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

°C

* Для модели Гуммеля-Пуна.