Динамическое озу(ram) dram

Во многих компьютерах используется микросхема DRAM(Dynamicrandomaccessmemory), благодаря их быстродействию, большой ёмкости и низкой стоимости. Для хранения одного бита информации вDRAMиспользуется транзистор и конденсатор. Текущее значение бита определяется зарядом конденсатора. Проблема в том, что они сохраняют заряд в течение определённого времени. После чего, заряд требуется обновить. Чтобы обновить заряд конденсатора, контроллер памяти читает его значение, что приводит к разряду конденсатора (потеря значения). Затем контроллер должен восстановить значение заряда конденсатора. Обычно контроллер обновляет значение битов с частотой 66MHz. Когда процессор запрашивает значение ячейки памятиDRAM, контроллер должен разрядить конденсатор, чтобы определить хранимое значение. Если оно составляет 1 (конденсатор был заряжен), контроллер должен восстановить его. Поскольку в результате считывания конденсатор разряжается, этот процесс называется разрушающим чтением.

Из-за необходимости постоянно обновлять содержимое микросхемы DRAM, они функционируют медленно, по сравнению с устройствами памяти, построенными на базе других технологий. Но так как им для хранения 1-го бита достаточны лишь 1 транзистор и один конденсатор, эти микросхемы обладают высокой плотностью записи. Это значит, что они способны хранить большие объёмы данных.