Синхронная динамическая озу sdram.

Несмотря на улучшение скорости показатели МС они по прежнему ограничивают быстроту системы т.к. такт частоты модуля памяти отличается от тактической частоты системной шины. В конце 90-х годов появляется МС SDRAM. Эффект производительности системы достигли за счет синхронной операционной МС памяти и системной шины. Поэтому скорость показателя МСSDRAMуказывает в Гц. Чтобы определить продолжительность цикла модуляSDRAMдостаточно единицу разделить на значения частоты в герцах.

Например, если микросхема памяти работает с тактовой частотой 100 МГц, ее время доступа составляет 10 нс. Для дальнейшего увеличения оперативной памяти производители обеспечивают поддержку системной шины, работающей на частоте 266МГц. с эффективной частотой 533 МГц. Понятие эффективная частота отталкивается от производительности обычной памяти SDRAM.То есть это частота с которой должна была бы работать обычнаяSDRAM, что бы иметь аналогичную производительность сDDR,DDR2,DDR3,DDR4. С этой целью были выпущены микросхемы синхронизирующие динамическое ОЗУ с двойной скоростью передающие данныеDDRSDRAM–doubledataratesynchronousdynamicRAM), а так же усовершенствованы микросхемыSDRAM(ESDRAMEnhacedSDRAM). При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, нежели в SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, как в SDRAM, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.. В микросхемах ЕSDRAMувеличение быстродействия достигается за счет использования собственного встроенного буфера ( КЭШ – память ).Затем появиласьDDR2,DDR3,DDR4.

Соответственно эффективные частоты возросли до 1200,2400 и 4800МГц. Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом, чтобы обеспечить необходимый поток данных, передача на шину осуществляется из четырёх мест одновременно. Скорость передачи данных для SDRAMDDR3 достигает 19200 МБ/с. Направление развитияSDRAMDDR4 является перспективным и 2013 году может охватить до 50% рынка.

Память RAMBUS

Технология RAMBUSв 99 году повысила производительность системы за счет использования высокоскоростной специальной шины для передачи данных междуRAMи ЦПУ. Эта шинаRAMBUSпередает 16разрядные данные с частотой 800 МГц. В технологииRAMBUSиспользуется специальная микросхема памяти –RIMM(RAMBUSinlineMemorymode) линейный модуль памятиRAMBUS. МодульRIMMвставляется в специальное гнездо, имеющее 168 контактов. Уникальная особенность шиныRIMMсостоит в том, что с каждым её гнездом должен быть соединён модульRIMMили специальный модуль связанности, который обеспечивает целостность шины. Не смотря на прогрессивность распространение не получила и проиграла в ценовой конкуренции.

Видеопамять

Этот памяти используется для видеокарт большой производительности. Большинство видеокарт содержит устройство памяти для хранения текущих видеоизображений. Для ускорения функционирования многие видеокарты содержат специальные МС двойного режима , VRAMпамять, которые поддерживают операцииR/W. С помощью этой МС контроллер видеокарты может обновлять содержание видеопамяти, пока ЦАП карты поддерживает содержимое памяти, чтобы вывести изображение на монитор.VRAMобеспечивала пропускную способность до 320МБ/с . Затем появилась ее модификацияWRAMcпропускной способностью до 640 МБ/с. В результате нескольких лет эксплуатации технология WRAM подверглась изменениям и в видеосистемах уступила памяти типа SDRAMDDR.,а за темGDDR2.GDDR2 - это тип компьютерной перезаписываемой энергозависимой памяти, используемой в графических ускорителях.

GDDR2, по сути является DDR2 с интерфейсом и упаковкой, спроектированными специально для работы на максимально возможных частотах и для коротких шин. При этом отличия GDDR2 от «обычной» DDR2 почти полностью заключаются в упаковке.

GDDR3 имеет почти такое же технологическое ядро, как DDR2 , но имеет более высокую эффективную частоту. В силу специфики использования графической памяти , а именно соединения GPU и DRAM с топографией точка-точка, при формировании I/O шины GDDR3 используется технология с открытым стоком и привязанная к этому специфическая реализация внутрикристалльной терминации (on-die termination, ODT), в отличие от двухтактной шины у стандартной DDR2, что позволяет радикально поднять тактовые частоты и упростить разводку плат. GDDR5 (.Graphics Double Data Rate) — 5 поколение памяти DDR3 SDRAM, спроектированной для приложений, требующих высокой полосы пропускания. GDDR5 основан на памяти DDR3, которая имеет удвоенные по сравнению с DDR2 DQ(Digital Quest) каналы связи , но у GDDR5 также есть буферы предварительной выборки шириной 8 битов как у GDDR4. Интерфейс GDDR5 передает два информационных слова шириной 32 бита за тактовый цикл (WCK) на\из штырьков ввода - вывода. Эффективная частота составляет до 5 ГБ/c.