Электронные технологии и элементы

Электронные технологии и элементы, на основе которых создавались ЭВМ, многократно изменялись. Машины 1-го поколения строились на электронных лампах, 2-го – на дискретных полупроводниковых приборах (диодах и триодах – транзисторах), 3-го и последующих – на интегральных полупроводниковых схемах. Изменялись электронные полупроводниковые элементы по виду используемых элементов, типу связей между транзисторами. В частности, использовались такие системы элементов, как:

• резисторно-диодные,

• резисторно-транзисторные,

• феррито-транзисторные,

• диодно-транзисторные,

• транзисторно-транзисторные.

Наибольшее распространение в современных интегральных схемах получили транзисторно-транзисторные системы элементов (ТТЛ – транзисторно-транзисторно логика), в которых роль резисторов и диодов выполняют транзисторы с фиксированными напряжениями на своих электродах. В этой системе обеспечивается полная однородность структуры микросхемы – они содержат только транзисторы, что облегчает технологию их изготовления.

Архитектура используемых в ЭВМ транзисторов также изменялась:

• в машинах второго поколения применялись биполярные германиевые и кремниевые pnp и npn транзисторы,

• в интегральных схемах применяются униполярные полевые МОП-транзисторы (МОП — металл-окисел-полупроводник, или MOS: Metal-Oxide-Semiconductor).