10.3.2. Озу динамического типа (Dynamic Random Access Memory dram).
Разработка и изготовление БИС сверхбольшого объема (>=16 Кбит) потребовало существенного уменьшения площади, занимаемой одним элементом памяти. Решение было найдено в результате перехода от статического хранения информации к динамическому.
В динамических ОЗУ в качестве элементов памяти используют электрические конденсаторы. Вследствие разряда конденсатора, они способны сохранять информацию только непродолжительное время, поэтому для хранения информации ее необходимо периодически перезаписывать - регенерировать. Регенерация содержимого элемента памяти осуществляется выполнением операций чтения/записи содержимого ЭП в буферные усилители, без выдачи информации в выходную шину.
DRAM является наиболее распространенным и дешевым типом ОЗУ, однако, необходимость выполнения периодической регенерации требует специальных схем управления и ухудшает временные характеристики динамической памяти. Данные могут быть записаны или считаны в SRAM приблизительно за 1/4 времени, требуемого для этого даже самым быстрым динамическим ОЗУ.
10.3.3. КЭШ - память.
Функционально КЭШ - память обычно предназначена для согласования скорости работы сравнительно медленной динамической памяти со сравнительно быстрым микропроцессором. Дело в том, что работа большинства элементов, на которых построен процессор, во многом похожа на работу ячеек статической памяти - триггеров. Поэтому их быстродействие существенно выше, нежели элементов динамической памяти.
Для пользователей IBM PC - совместимых ПК использование КЭШ- памяти началось с 386-х микропроцессоров. Для таких устройств, синхронизируемых, например, частотой 33МГц, тактовый период составляет приблизительно 30 нс. Обычные микросхемы динамической памяти имеют время выборки от 60 до 100 нс. Отсюда, в частности, следует, что центральный процессор вынужден простаивать 2 - 3 такта, пока информация из соответствующих микросхем памяти не установится на системной шине данных ПК.
Из этого положения существует казалось бы простой выход – использовать в качестве основной памяти достаточно быструю статическую. Однако, при этом очень существенно возрастает стоимость компьютера.
Компромиссный вариант между стоимостью и производительностью был найден в результате применения 60 К КЭШ-памяти сравнительно небольшого объема (64 К128 К), построенной на статических ЗУ.
В КЭШ-память записываются наиболее часто используемые команды и данные. МП при чтении информации обращается в первую очередь к КЭШ - памяти, и только если в ней нет необходимых данных он читает основную память. За обновлением информации в КЭШ-памяти следит специальное устройство, называемое контроллером КЭШ-памяти. В результате проведенных исследований установлено, что для КЭШ-памяти объемом 64К вероятность нахождения в ней нужной информации составляет - 95 % , а для 128 К - 98%. Т.о. использование КЭШ- памяти сравнительно небольшого объема позволяет избежать циклов ожидания в работе системы.
- Эвм и вычислительные системы».
- Часть I.
- Лекция №1 общие сведения о микропроцессорах и микропроцессорных системах.
- Предисловие
- 1.1 . Основные определения и классификация микропроцессорных систем.
- 1.2. Однокристальные мп.
- 1.2.1 Краткий исторический обзор развития.
- Лекция №2 обзор микропроцессоров фирм клонмейкеров. Современный уровень развития однокристальных микропроцессоров.
- 2.1. Микропроцессоры-клоны.
- 2.2. Современные универсальные однокристальные микропроцессоры.
- Процессоры Pentium II.
- 2.2.1. Процессоры фирмы amd
- 2.2.2.ПроцессорыфирмыCyrix.
- 2.2.3. Сравнительный анализ мп различных семейств.
- 2.2.4. Перспективы развития.
- 2.3. Программируемые микроконтроллеры.
- Лекция №3 обзор микропроцессоров с микропрограммным управлением и микропроцессоров с сокращенным набором команд.
- 3.1. Мп с микропрограммным управлением.
- 3.2. Мп с сокращенным набором команд.
- 3.2.1. Risc-процессоры: предпосылки создания.
- 3.2.2. Принципы risc
- 3.2.3. Особенности risc-процессоров.
- 3.2.4. Представители группы risc-процессоров.
- 3.2.5. Цифровые процессоры обработки сигналов.
- Лекция №4 представление информации в мпс.
- 4.1. Способы кодирования информации в мпс.
- 4.2 Двоичный формат.
- 4.3. Двоично-десятичная система кодирования.
- 4.4. Шестнадцатиричная система счисления.
- 4.4. Формат с плавающей точкой.
- 4.5. Кодирование команд.
- Лекция №5 архитектура мп и мпс.
- 5.1. Понятие организации и архитектуры мп и мпс.
- 5.2 Обобщенная функциональная схема мп.
- 5.2.1 Устройство управления на основе аппаратной реализации.
- 5.2.2. Программируемая логическая матрица.
- Лекция №6 архитектура мп и мпс.(продолжение)
- 6.1. Функциональная схема однокристального мп.
- 6.2 Структура адресного пространства мпс.
- 6.3 Взгляд программиста на адресное пространство.
- 6.4 Понятие стека.
- Лекция №7 способы адресации
- 7.1 Основные определения.
- 7.2 Однокомпонентные способы адресации.
- 7.2.1 Прямой способ адресации.
- 7.2.3 Способы адресации с автомодификацией.
- 7.3 Многокомпонентные способы адресации.
- Лекция №8 основы проограммирования на языке ассемблера для мп i8086.
- 8.1. Формат команд на языке встроенного ассемблера.
- 8.2. Архитектура мп i8086.
- 8.2.1 Сегментация памяти мп i8086.
- 8.2.2 Структура мп i8086.
- 8.2.3 Устройство шинного интерфейса.
- 8.2.4 Операционное устройство(оу).
- 8.3 Основные команды языка Ассемблер для мп i8086.
- 8.3.1 Команды пересылки данных.
- Лекция №9 основы проограммирования на языке ассемблера для мп i8086. (продолжение).
- 9.1. Арифметические команды.
- 9.2. Логические команды.
- 9.3. Команды передачи управления.
- 9.4. Команды управления мп.
- Лекция №10 запоминающие устройства.
- 10.1 Основные характеристики полупроводниковых запоминающих устройств.
- 10.2 Способы организации бис зу.
- 10.3 Классификация полупроводниковых зу.
- 10.3.1. Статические озу (Static Random Access Memory).
- 10.3.2. Озу динамического типа (Dynamic Random Access Memory dram).
- 10.3.4. Кмоп - озу.
- Лекция №11 запоминающие устройства. (продолжение)
- 11.1. Постоянные зу. (Read Only Memory - rom).
- 11.2. Flash-память.
- 11.3. Корпуса модулей зу.
- 11.4. Наращивание объема и разрядности памяти, построенной на полупроводниковых зу.
- Лекция № 12 организация магистралей мпс.
- 12.1 Типы магистралей мпс.
- 12.2 Циклы обращения к магистрали.
- 12.3 Примеры архитектур системных магистралей современных мпс.
- Лекция №13 методы расширения адресного пространства мпс.
- 13.1 Предварительные замечания.
- 13.2 Метод окна.
- 13.3 Метод базовых регистров.
- 13.4 Метод банков.
- 13.5 Метод виртуальной памяти.
- Лекция №14 система прерываний.
- 14.1 Понятие системы прерываний, классификация систем прерываний.
- 14.2. Организация радиальной системы прерываний.
- 14.3. Расширение радиальной системы прерываний методом поллинга.
- 14.4. Организация векторной системы прерываний.
- Лекция №15 организация связи мпс с переферийными устройствами.
- 15.1. Классификация способов обмена информацией в мпс.
- Прямой ввод/ вывод
- 15.3 Условный ввод-вывод.
- 15.4. Режим прямого доступа к памяти.
- Лекция №16 интерфейсы мпс.
- 16.1. Принципы организации и классификация интерфейсов.
- 16.2. Элементная база интерфейсов.
- 16.3. Средства параллельного ввода/вывода.
- Лекция №17 расширитель интерфейса для ibm-совместимых пк. Программируемый интервальный таймер.
- 17.1. Расширитель интерфейса рс на основе ппа кр580вв55.
- 17.2 Программируемый интервальный таймер.
- 17.3. Модуль преобразования цифрового кода в шим-сигнал на базе пит.
- Лекция №18 интерфейсы последовательной связи.
- 18.1. Общая характеристика последовательной связи.
- 18.2. Асинхронные последовательные интерфейсы.
- 18.3. Бис для организации последовательного интерфейса.
- 18.4. Модем.
- 18.5. Стандарты физической связи. Стандарт rs -232- c.