logo
Кафедра “Системы автоматического управления”

11.4. Наращивание объема и разрядности памяти, построенной на полупроводниковых зу.

Для построения памяти требуемого объема подключают параллельно несколько БИС ОЗУ, увеличивая тем самым либо число слов, либо их длину.

На рис.11.2. представлен вариант построения памяти V=4096*4 построенный на БИС с объемом 1024*4 бит. В рассматриваемом примере, при увеличении объема ОЗУ, число адресных бит увеличивается на два. Выборка одного их 4-х ОЗУ производится с помощью дешифратора, выходы которого связаны с управляющими входами СS используемых БИС.

Рис.11.2.

Сигнал на входах /WR управляет режимом работы (чтение/запись).

Возможность такого объединения схем обеспечивается благодаря трехстабильным выходам микросхем ОЗУ.

Полученный модуль ОЗУ может быть использован в качестве базового для увеличения длины слова ЗУ (рис.11.3.).

Рис.11.3.

Т.о. с помощью 8 БИС ОЗУ с организацией 1024*4 получено ОЗУ объем которого составляет 4096 байт.