2.4.2. Елемент зп з послідовним доступом на мон-транзисторах

Структура одного розряду регістра зсуву, який будується з використанням МОН-технології (рис. 2.36).

Рис. 2.36 Структура одного розряду регістра зсуву

ЗЕ в регістрі зсуву містить 2 МОП-уніполярних транзистори, 2 конденсатори, 2 інвертори. На затвори транзисторів подаються 2 тактуючі синхросесії, які зсунуті на півперіоду(Т/2). Нехай в якийсь момент часу на вході з'явиться одиниця, за допомогою імпульсу с₁ відкривається VT1 і заряжається С1. На виході U₁

По сигналу с₂ через півперіоду відкривається VT2, потім С2 рзряджається, а на виході U2 – високий потенціал. Таким чином за період одиниця з входу буде перенесена на вихід.

Приклад використання регістра зсуву

Рис. 2.37

Даний приклад показує, як можна запам'ятати інформацію, яка йде з частотою,яка в два рази перевищує вхідну частоту регістрів.