2.3.3. Однократнопрограмована пам'ять

Даний тип пам'яті випускається виробником запрограмованим або на всі нулі, або на всі 1. Занесення інформації здійснюється користувачами за допомогою программатора. Програмування здійснюється або випалюванням плавких перемичок, або шляхом пробою p-n-переходу.

Варіанти однократнопрограмованої пам'яті показана на рис. 2.23

Рис.. 2.23

В 1-му випадку потрібно перепалити перемичку.

В 2-му випадку – пробитии VD2 великою напругою.

Однократнопрограмована пам'ять на елементах ТТЛ показана на рис. 2.24

Рис. 2.24 Приклад на ТТЛ

К556РТ4 (256х4)

Рис.. 2.25 Внутрішня структура К556РТ4 (256х4)

УГО (РТ4) Vпр - вход пр-ния

Рис. 2.26 УГП К556РТ4

В цій схемі використовуються багатоемітерні транзистор из 8 емітерами.

Всі багатоемітерні транзистори, які мають 8 емітерів, зберігає 8-розрядне слово. Відповідні емітери через ПВ об'єднуються і підключаються до входу підсилювача зчитування. До цих же шин підключаються формувачі запису (струмових ключів).

Після програмування при виборі якогось слова подається відповідний високий потенціал на АШ, з його допомогою відкривається відповідний багатоемітерний транзистор, завдяки чому Ек з'являється на тих горизонтальних шинах, на яких залишились плавкі перемички. Щоб виконати програмування, необхідно напругу, що живить, підняти до 12В і через цей струмовий ключ відповідну горизонтальну шину на деякий час підключити до землі.

В якості прикладу розглянуто мікросхему РТ4 місткістю 256х4 (8 адресних входи, 4 виходи, вхід вибору кристалу і вхід програмування). Основним елементом внутрішньої структури є ЗМ (матриця 32х32 багатоемітерних транзисторів з 32 емітерами, відповідні емітери подаються на вхід селектора). Старші 5 розрядів поступають на дешифратор вибору рядків, за допомогою цього дешифратора обирають 32 транзистори, а селектор з 32-розрядних слів, використовуючи DC секції, обирає 4-розрядну секцію (рис. 2.25, рис. 2.26).