2.3.4. Репрограмована пам'ять

Ця пам'ять може бати побудована із застосуванням:

1. Пам'ять на аморфних напівпровідниках.

2. Пам'ять на МНОП-транзисторах.

3. ЛІПЗ/МОП-пам'ять (лавинно-інжекційна з плаваючим затвором МОП-)

4. Флэш-пам'ять(ЕТОХ - тунель-оксид)

1. Аморфний напівпровідник (АН) може знаходитись в аморфному або кристалічному стані. В аморфному - =10⁷ Ом/См, в кристалічному - =10^23 Ом/См. Для переведення з аморфного в кристалічний потрібно подіяти великою напругою 25В, навпаки - І=200 мА (рис. 2.27).

Рис. 2.27 Пам'ять на аморфних напівпровідниках

Схема пам'яті з плаваючим затвором показана на рис 2.28.

Рис. 2.28 ЗЕ пам'яті з плаваючим затвором

Рис. 2.29 Характеристики ЗЕ з плаваючим затвором

В ЗЕ такої пам'яті використовується під затвором подвійний діелектрик, який складається з тонкої плівки SiO₂ і товстої плівки Si₃Ni₄.

Якщо між підложкою та затвором прикласти позитивну напругу 30В, тоді електрони, долаючи тонку плівку, будуть накопичуватись на межі двох діелектриків. Цей від'ємний потенціал може може існувати довгий час, завдяки наявності від'ємного потенціалу, порогова напруга, при якій буде відкриватись транзистор, буде знижуватись до -3В. Якщо від'ємний потенціал відсутній, порогова напруга буде складати -15В. Щоб зняти від'ємний потенціал, необхідно подіяти між затвором та підложкою від'ємною напругою рівною -30В. Робоча напруга, яка використовуються для вибірки такого елемента, 5В. При цьому той транзистор, який запрограмований на 0, залишається закритим, на 1 – відкритим (рис. 2.29).