2.2.5. Динамічна пам’ять (дп) на моп транзисторах

Якщо в статичній пам’яті елемент пам’яті використовує 6 транзисторів, то в динамічній пам’яті їх менше (4,3,1). Зменшення кількості транзисторів в кожному елементі пам’яті в першу чергу дозволяє підвищити ступінь інтеграції, зменшити вартість. Разом з тим ДП володіє суттєвим недоліком: в цій пам’яті потрібно підтримувати інформацію, що зберігається, т.я. з плином часу вона може загубитись.

Рис. 2.18 Динамічна пам'ять на МОН транзисторах

Розглянемо роботу динамічної пам’яті, в якій кожен елемент пам’яті містить 3 транзистори (рис. 2.18). Інформація в цьому елементі пам’яті зберігається на запам’ятовувальному конденсаторі. Насправді фізично конденсатор відсутній, а в якості елемента пам’яті використовується паразитна емність між затвором та підложкою VT2. Якщо конденсатор елемента пам’яті заряджений, то елемент пам’яті зберігає 0, а якщо розряджений, то – 1. До кожного елемента пам’яті підходить 3 проводи (адресний (вибірки), РШЗ, РШЧ). Щоб організувати запис (управляючий сигнал =1), потрібно вибратиелемент пам’яті (передається високий потенціал на одну з АШ), при цьому VT1,VT3 відкриваються. Якщо записується двійкова одиниця, то на РШЗ буде низький потенціал, і конденсатор елемента пам’яті розрядиться. Якщо записується двійковий 0, то – навпаки.

При читанні вибирається елемент пам’яті подібно до режиму запису транзистори VT1,VT3 відкриваються,(= 0), якщоелемент пам’яті зберігає одиницю (конденсатор розряджений), то VT2 буде відкритим, тому на виході Q потенціал буде високим, якщо елемент пам’яті зберігає 0 (конденсатор заряджений), на виході – низький. При читанні відкритий нижній елемент «&», РШЗ та РШЧ замикаються. При зчитуванні виконується регенерація інформації. Ця пам’ять має відкритий колектор.