logo
AOM / Мельник А

9.4.2. Нарощування розрядності основної пам'яті

Розглянемо як здійснюється нарощування розрядності основної пам'яті при її побу­дові на основі мікросхем. Коли розрядність комірок у мікросхемі є меншою від розряд­ності слів комп'ютера, виникає необхідність об'єднання декількох мікросхем пам'яті.

Нарощування розрядності основної пам'яті реалізується шляхом об'єднання адрес­них входів окремих мікросхем пам'яті. Якщо об'єднати інформаційні входи і виходи п мікросхем (МС , МС ,..., МС ), кожна з яких має 2m однорозрядних комірок, з входами і виходами пам'яті відповідно до рис. 9.22, то отримається пам'ять збільшеної розряднос ті. Одержану сукупність мікросхем називають модулем пам'яті. Модулем можна вважа­ти і одну мікросхему, якщо вона вже має потрібну розрядність.

Тут позначення сигналів CS та WE означає відповідно вибірку кристала (Cristal Sele­ct) та дозвіл запису (Write Enable).

9.4.3. Нарощування ємності основної пам'яті

Ємність основної пам'яті сучасних комп'ютерів є настільки великою, що її не можна реалізувати на базі однієї мікросхеми. Для отримання необхідної ємності потрібно пев­ним чином об'єднати декілька модулів пам'яті меншої ємності. У загальному випадку основна пам'ять комп'ютера практично завжди має блокову структуру, тобто містить декілька модулів.

При використанні блокової структури пам'яті, що складається з S модулів, адреса комірки перетвориться в пару (р, г), де р - номер модуля, г - адреса комірки всередині модуля. Відомі три схеми розподілу розрядів адреси А між р та г.

В блоковій схемі розподілу розрядів адреси (рис 9.23) номер модуля р визначають старші k розрядів адреси, які поступають на входи вибору модуля CS (Chip Select).

330

Адресний простір пам'яті розбитий на групи послідовних адрес, і кожна така група забезпечується окремим модулем пам'яті. Для звернення до основної пам'яті використо­вується n-розрядна адреса (n=m+k),mмолодших розрядів якої (Аm-1 - А0 ) поступають паралельно до регістра адреси РгА всіх модулів пам'яті (МП) і вибирають в кожному з них одну комірку. Старші k розрядів адреси (Аn-1 - Аm) містять номер модуля. У функ­ціональному відношенні така пам'ять може розглядатися як єдина, ємність якої рівна сумарній ємності складових, а швидкодія - швидкодії окремого модуля.

В циклічній схемі розподілу розрядів адреси (рис. 9.24) номер р (р = 0,1,..., S-1) моду­ля визначають k молодших розрядів адреси.

Адресний простір цієї пам'яті, як і адресний простір пам'яті з блоковою схемою роз­поділу розрядів адреси, розбитий на групи послідовних адрес, і кожна така група за­безпечується окремим модулем пам'яті. Для звернення до основної пам'яті використо­вується n-розрядна адреса (n = m + k), m старших розрядів якої (Аn-1 - Ак) поступають паралельно до регістра адреси РгА всіх модулів пам'яті (МП) і вибирають в кожному з них одну комірку. Молодші k розрядів адреси (Ак-1 - А0 ) містять номер модуля. У функ­ціональному відношенні така пам'ять може розглядатися як єдина, ємність якої рівна сумарній ємності складових, а швидкодія - швидкодії окремого модуля.

Блоково-циклічна схема розподілу розрядів адреси є комбінацією двох попередніх схем.